简述 Briefly describe：
随着微电子技术的快速发展，集成电路芯片的集成度不断提高，芯片的特征尺寸越来越小，导致芯片内引线的寄生电阻和电容、延迟和功耗的增加。为了解决上述问题，集成电路技术由传统的二维（2D）平面逐渐向三维（3D）集成方向发展。3D 集成是指将多个芯片堆叠在一起，芯片间采用垂直通孔实现电连接的集成电路，这种技术已被广泛视为一种“超越摩尔”的途径。
晶圆键合技术是实现 3D 集成的一个重要的技术手段。传统晶圆键合需要进行高温退火工艺，而过高的温度会带来很多严重的负面效应。这些负面效应包括：
（1）过高的温度会导致某些对温度敏感 IC 和 MEMS 器件的性能劣化，甚至失效；
（2）高温键合时会产生热应力，在完成键合冷却后热应力无法释放，会造成器件工作的稳定性和可靠性降低。尤其是热失配较大的异质材料键合，由于热膨胀系数存在差别，导致温度梯度出现而造成比较大的热应力，热应力又会产生缺陷和位错，使晶圆破裂或完全不能键合；
（3）掺杂的晶圆进行键合时，高温键合过程会使掺杂物质重新扩散，这将改变杂质分布和电学特性。此外，如果晶圆的界面存在一些污染和缺陷，在高温的作用下也会扩散开，使产品失效区域变得不可控，同时使键合界面电学特性劣化。这些问题严重限制了晶圆键合应用的范围，因此开发适用于 MEMS 和 IC 领域的低温键合设备技术是非常重要的。
